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消息称三星、SK海力士正致力于研发降低内存功耗技术,提升高性能计算下的效

时间:2023-07-14 11:44  |  来源: IT之家   |  阅读量:16788  |  

,随着模型训练类任务在当下愈发增多,HBM 和 DDR5 等内存在高性能计算中的重要性日益增加,而内存的功耗问题也愈发突出。

据外媒 Chosun Biz 报道,三星电子和 SK 海力士等内存制造商正在与学术界展开合作,投资于下一代技术以降低功耗,以提升高性能计算下的效率。

IT之家经过查询得知,DRAM 目前占据基于英伟达 A100 的数据中心平台总功耗的 40%,而随着层数的增加,HBM 的功耗也会增加。

首尔国立大学此前推出了 DRAM Translation Layer 技术,声称可以将 DRAM 的功耗降低 31.6%,引来了三星的兴趣。

图源 首尔国立大学论文

图源 首尔国立大学论文

三星当下正在与首尔国立大学合作,以进一步降低内存功耗,他们基于 Compute Express Link 技术,开发了采用 12 纳米工艺的 16GB DDR5 DRAM,与上一代产品相比,功耗降低了 23%。

图源 Compute Express Link 网站

SK 海力士则是推出了 LPDDR5X,将 High-K 金属栅工艺应用于移动 DRAM。High-K 材料的介电常数比传统 SiON 绝缘膜高约五倍,可以在相同面积和厚度下存储五倍的电荷,并帮助减少电流泄漏。通过控制泄漏电流,SK 海力士的 LPDDR5X 速度提高了 33%,功耗比上一代产品降低了 20% 以上。

图源 Pexels

随着模型训练任务对内存厂商提出进一步的技术更新要求,厂商们当下也纷纷展开彼此之间的角逐,从而导致内存成本能够得到一定下降,消费者也能从中得利。

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